其中P(T)為輻射能量，σ為斯特藩—玻耳茲曼常量，ε為發射率，紅外測溫的精確與待測材料的發射率密切相關，由于
COB光源表面的大部分材料發射率是未知的，為了精準測溫，可將光源放置在恒溫加熱臺上，待光源加熱到一個已知溫度處于熱平衡狀態后，用紅外熱成像儀測量物體表面溫度，再調整材料的發射率，使其溫度顯示為正確溫度。倒裝
COB光源原理2、COB的第二個缺點是光效。由于在一個狹小的面積上緊密排列了多顆LED芯片，所以單顆芯片所發出的靠近水平方向的光會遇到相鄰芯片而不斷形成全反射，最后被封裝材料吸收，不能發射出去倒裝
COB光源原理
因為COB光源使用的是多個LED晶片直接固在散熱基板上，它與傳統的LED封裝方式不同，因此這些LED晶片貼片封裝后占用的空間極小，且緊密組合的LED晶片能最大化的高效發光，所以當COB光源通電后看不出獨立的單個發光點而更像是一整塊發光板。
。而對于SMD，只要間距合理，就不存在這個問題(見圖2)。正是這個全反射使得COB的發光效率從一開始就比LED燈珠的表面貼裝低10%。同時，封裝材料吸收水平方向光線所帶來的熱量和芯片密集排列本身產生的熱量疊加，導致COB工作溫度偏高，再次影響芯片光效。即使使用相同的芯片，COB也要比表面貼裝少20lm/W左右。倒裝
COB光源原理COB和MCOB比較LED的COB封裝是基于里基板的封裝基礎，就是在里基板上把N個芯片繼承集成在一起進行封裝倒裝
COB光源原理
我認為
COB光源需要不斷提高性價比，才能擴大其應用范圍：首先，COB基板導熱性能要提高，出光效率要提升，這樣集成度會增加，單位面積的功率可以做的更高;其次，LED芯片需要繼續提高性價比，尤其是中功率芯片，COB的大部分成本由芯片決定;再則，提升COB生產設備自動化程度，目前COB生產設備自動化程度不高，其生產效率低下，生產成本偏高。，這個就是大家說的COB技術，大家知道里基板的襯底下面是銅箔，銅箔只能很好的通電，不能做很好的光學處理。
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COB光源原理有的也將SMD的小功率光源均勻的排回列在鋁基板上也稱為集成LED，但實際上這種集成只是將已封裝好的SMD光源（成品光源）焊接在鋁基板上面（如下圖答1）倒裝
COB光源原理圖4：樣品紅外熱成像圖從圖中可以看到，藍色樣品的發光面最高溫度為93.6℃，2700K的發光面最高溫度為124.5℃、6500K的發光面最高溫度為107.8℃。溫度的差異可如下解釋，白光是由芯片產生的藍光激發熒光粉混成白光，在藍光激發熒光粉的過程中，熒光粉和硅膠會吸收一部分光轉化成熱，經過測量可知藍色樣品的光電轉換效率為41.6%，2700K樣品為32.2%，6500K為38.5%，2700K樣品的光電轉換效率最低，主要原因是2700K樣品的熒光粉使用量多于6500K，在藍光激發熒光粉過程中有更多藍光轉換成熱量，相關參數參考表2。，并非
COB光源；將小功率芯片（LED芯片）直接封裝到鋁基板上的才是COB（如圖2）。所有的
COB光源都是集成LED光源，但集成LED光源并非都是COB.
